هدایت الکتریکی سیلیکان متخلخل بر پایه مستقل

به دلیل خواص متنوع و قابل توجه سیلیکان متخلخل، این ماده در زمینه های بسیاری از جمله الکترونیک، میکرو الکترونیک، اپتیک و ساخت انواع حسگرها کاربرد فراوانی دارد.در این پایان نامه تصمیم بر این است که سیلیکان متخلخل ساخته شود و هدایت الکتریکی آن بررسی گردد.برای ساخت سیلیکان متخلخل می خواهیم از روش الکتروشیمیایی استفاده کنیم. در نظر داریم ویفر های سیلیکان نوع p که بدون پولیش هستند را به کار ببریم و در محلول الکترولیت به جای اتانول از دی متیل فرمامید (dmf) استفاده کنیم. برای ساخت، چگالی های جریان و مدت زمان های متفاوتی به کار می بریم و نمونه های متفاوتی می سازیم. سپس با استفاده از تصاویر sem ساختار و ریخت شناسی آنها را بررسی خواهیم کرد. ضخامت و درصد تخلخل نمونه های حاصله را با استفاده از روش وزن سنجی و به کمک تصاویر sem اندازه گیری می کنیم. به منظور مطالعه هدایت الکتریکی سیلیکان متخلخل اتصالاتی در هر نمونه ایجاد می کنیم و آن را در مدار مورد نظر قرار می دهیم و منحنی i-v آن را در بازه دمایی 300-200 کلوین اندازه گیری می کنیم.در مرحله بعد، پس از ساخت سیلیکان متخلخل لایه متخلخل به وجود آمده را از زیر لایه جدا می کنیم تا سیلیکان متخلخل بر پایه مستقل (free-standing porous silicon) حاصل شود. سپس اتصالاتی بر روی نمونه ایجاد کرده و در مدار قرار می دهیم تا جریان گذرنده بر حسب ولتاژ اعمال شده را اندازه گیری نماییم. با استفاده از داده های به دست آمده به بررسی هدایت الکتریکی dc سیلیکان متخلخل می پردازیم و آن را با داده های مقالات دیگران مقایسه می کنیم.